Инвентаризация:1763

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47.2A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 32A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 187W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

Инвентаризация: 570

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

IGBT TRENCH FS 600V 75A TO247-3L

Инвентаризация: 364

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Инвентаризация: 0

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 302

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

Top