- Модель продукта GAN063-650WSAQ
- Бренд Nexperia
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34.5A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 143W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
650V 45 M SIC MOSFET
Инвентаризация: 475
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Инвентаризация: 263
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 2234
GAN HV PG-LSON-8
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH
Инвентаризация: 2923
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Инвентаризация: 1435
RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Инвентаризация: 0
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
