Технические детали

• Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11.5A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 3.9A, 6V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 12.2mA
• Пакет устройств поставщика DFN8080-8
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
• ВГС (Макс) +7V, -1.4V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.8 nC @ 6 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 96 pF @ 400 V