Инвентаризация:2000

Технические детали

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 3.5mA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
  • ВГС (Макс) +7.5V, -12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.1 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 60 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2234

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD

Инвентаризация: 3614

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

Инвентаризация: 167

GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8

Инвентаризация: 450

GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6

Инвентаризация: 40

GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8

Инвентаризация: 990

GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6

Инвентаризация: 283

GANFET N-CH 650V 15A TO220

Инвентаризация: 88

GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8

Инвентаризация: 100

GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L

Инвентаризация: 86

Top