- Модель продукта GPI65008DF68
- Бренд GaNPower
- RoHS 1
- Описание GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2490
Технические детали
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.7V @ 3.5mA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
- ВГС (Макс) +7.5V, -12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.1 nC @ 6 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 63 pF @ 400 V