- Модель продукта GPI65015DFN
- Бренд GaNPower
- RoHS 0
- Описание GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.5mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
- ВГС (Макс) +7.5V, -12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.3 nC @ 6 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 116 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Инвентаризация: 167
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Инвентаризация: 450
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
Инвентаризация: 40
GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8
Инвентаризация: 500
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Инвентаризация: 100
GANFET N-CH 650V 15A TO220
Инвентаризация: 88
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Инвентаризация: 100
650 V 13 A GAN FET
Инвентаризация: 5887
