Инвентаризация:1950

Технические детали

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.7V @ 3.5mA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
  • ВГС (Макс) +7.5V, -12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.6 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 39 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Инвентаризация: 737

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 1971

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

Инвентаризация: 167

GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6

Инвентаризация: 40

GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8

Инвентаризация: 500

GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8

Инвентаризация: 990

GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6

Инвентаризация: 283

650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD

Инвентаризация: 0

650 V 13 A GAN FET

Инвентаризация: 5887

Top