- Модель продукта CGD65A055S2-T07
- Бренд Cambridge GaN Devices
- RoHS 1
- Описание 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2237
Технические детали
- Пакет/кейс 16-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 77mOhm @ 2.2A, 12V
- Особенность полевого транзистора Current Sensing
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 10mA
- Пакет устройств поставщика 16-DFN (8x8)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
- ВГС (Макс) +20V, -1V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6 nC @ 12 V