Инвентаризация:2237

Технические детали

  • Пакет/кейс 16-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 77mOhm @ 2.2A, 12V
  • Особенность полевого транзистора Current Sensing
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика 16-DFN (8x8)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) +20V, -1V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6 nC @ 12 V

Сопутствующие товары


GAN

Инвентаризация: 0

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Инвентаризация: 3352

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4885

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4355

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8

Инвентаризация: 100

GANFET N-CH

Инвентаризация: 2923

650 V 25 A GAN FET

Инвентаризация: 1630

Top