Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 6V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 125W
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 5mA
• Пакет устройств поставщика 8-DFN (8x8)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
• ВГС (Макс) 6V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.9 nC @ 6 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 203 pF @ 400 V