- Модель продукта EPC2050
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание TRANS GAN BUMPED DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.3A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 350 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 628 pF @ 280 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 90A DIE
Инвентаризация: 4611
GANFET N-CH 200V 48A DIE
Инвентаризация: 12891
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Инвентаризация: 18274
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Инвентаризация: 5983
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Инвентаризация: 8818
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Инвентаризация: 23295
GANFET N-CH 100V 4A DIE
Инвентаризация: 8416
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
