- Модель продукта EPC2022
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 100V 90A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 90A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 12mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 115676
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Инвентаризация: 96061
GANFET NCH 40V 60A DIE
Инвентаризация: 3456
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Инвентаризация: 1578
GANFET N-CH 100V DIE
Инвентаризация: 15356
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 815
