- Модель продукта EPC2019
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.5A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 7A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1.5mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.9 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 288 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 5973
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 15879
GANFET N-CH 100V 90A DIE
Инвентаризация: 4611
GANFET N-CH 150V 48A DIE
Инвентаризация: 5655
GANFET N-CH 200V 48A DIE
Инвентаризация: 12891
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Инвентаризация: 29056
