- Модель продукта TP65H050G4WS
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание 650 V 34 A GAN FET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 119W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 700µA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 650V 15A TO220
Инвентаризация: 88
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Инвентаризация: 317
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Инвентаризация: 43
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Инвентаризация: 12335
