Инвентаризация:1543

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 700µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

650 V 46.5 GAN FET

Инвентаризация: 281

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 193

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Инвентаризация: 317

MOSFET 650V, 480mOhm

Инвентаризация: 0

GANFET N-CH 900V 34A TO247-3

Инвентаризация: 107

Top