- Модель продукта TP65H480G4JSG
- Бренд Transphorm
- RoHS 0
- Описание MOSFET 650V, 480mOhm
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 3-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.6A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 560mOhm @ 3.4A, 8V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 13.2W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 500µA
- Пакет устройств поставщика 3-PQFN (5x6)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V
- ВГС (Макс) ±18V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 nC @ 8 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 760 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
Инвентаризация: 2960
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Инвентаризация: 540
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Инвентаризация: 3791
GAN FET N-CH 650V PQFN
Инвентаризация: 2834
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Инвентаризация: 6507
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Инвентаризация: 3926
