- Модель продукта TP44400SG
- Бренд Tagore Technology
- RoHS 0
- Описание GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4460
Технические детали
- Пакет/кейс 22-PowerVFQFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 360mOhm @ 500mA, 6V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2.8mA
- Пакет устройств поставщика 22-QFN (5x7)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 0V, 6V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.75 nC @ 6 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 28 pF @ 400 V