Инвентаризация:4460

Технические детали

  • Пакет/кейс 22-PowerVFQFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 360mOhm @ 500mA, 6V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2.8mA
  • Пакет устройств поставщика 22-QFN (5x7)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 0V, 6V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.75 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 28 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G

Инвентаризация: 4057

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD

Инвентаризация: 3614

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

Инвентаризация: 167

GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8

Инвентаризация: 450

GAN HV

Инвентаризация: 4106

MOSFET P-CH 600V 10A TO247

Инвентаризация: 0

GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN

Инвентаризация: 2969

650 V 13 A GAN FET

Инвентаризация: 5887

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

Инвентаризация: 2815

Top