Инвентаризация:4469

Технические детали

  • Пакет/кейс 22-PowerVFQFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 118mOhm @ 500mA, 6V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 11mA
  • Пакет устройств поставщика 22-QFN (5x7)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 0V, 6V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 110 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 0

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

Инвентаризация: 167

GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8

Инвентаризация: 450

650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD

Инвентаризация: 0

GAN FET HEMT 650V .236OHM 22QFN

Инвентаризация: 2983

GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN

Инвентаризация: 2960

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

Инвентаризация: 12335

Top