Технические детали

• Пакет/кейс 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58.5A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 32A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.6V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика CCPAK1212i
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1980 pF @ 400 V