Инвентаризация:4483

Технические детали

  • Пакет/кейс 22-PowerVFQFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 236mOhm @ 500mA, 6V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 5.5mA
  • Пакет устройств поставщика 22-QFN (5x7)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 0V, 6V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.5 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 55 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4355

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Инвентаризация: 142

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Инвентаризация: 352

GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN

Инвентаризация: 2969

GANFET 2N-CH 650V 30QFN

Инвентаризация: 60

GANFET 2N-CH 650V 30QFN

Инвентаризация: 90

GANFET 2N-CH 650V 30QFN

Инвентаризация: 57

Top