- Модель продукта CSD19531KCS
- Бренд Texas Instruments
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1642
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 60A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 214W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3870 pF @ 50 V