- Модель продукта CSD19535KCS
- Бренд Texas Instruments
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 150A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 100A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 101 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7930 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Инвентаризация: 1244826
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Инвентаризация: 1937
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Инвентаризация: 689
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Инвентаризация: 142
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Инвентаризация: 855
N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Инвентаризация: 63
HEAT SINK, EXTRUSION, TO-220, 50
Инвентаризация: 1017
