- Модель продукта GAN7R0-150LBEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS 1
- Описание 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5557
Технические детали
- Пакет/кейс 3-VLGA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 28W
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика 3-FCLGA (3.2x2.2)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.6 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 865 pF @ 85 V