Инвентаризация:5557

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-VLGA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 28W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика 3-FCLGA (3.2x2.2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.6 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 865 pF @ 85 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 150V 48A DIE

Инвентаризация: 5655

TRANS GAN 170V DIE .009OHM

Инвентаризация: 28265

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 1971

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

MOSFET P-CH 45V 8A TO252

Инвентаризация: 2409

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top