Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247 (IXTH)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4700 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Инвентаризация: 7508

MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD

Инвентаризация: 72

MOSFET P-CH 500V 11A TO247

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 500V 8A TO247

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 600V 16A TO268

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 900V 20A TO220

Инвентаризация: 812

GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN

Инвентаризация: 2960

Top