Технические детали

• Пакет/кейс 3-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.6A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 560mOhm @ 3.4A, 8V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 13.2W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 500µA
• Пакет устройств поставщика 3-PQFN (5x6)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V
• ВГС (Макс) ±18V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 nC @ 8 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 760 pF @ 400 V