- Модель продукта SGT65R65AL
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 0
- Описание RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Текущий рейтинг (А) 25A
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N-Channel
- Выходная мощность 5W
- Технологии GaN HEMT
- Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6) HV
- Напряжение - номинальное 650 V
- Напряжение - Тест 400 V
Сопутствующие товары
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 2198
GAN
Инвентаризация: 0
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 721
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 2376
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 2234
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Инвентаризация: 0
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Инвентаризация: 2815
