Технические детали

• Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 119W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 700µA
• Пакет устройств поставщика TO-263
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 400 V