Инвентаризация:1975

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 17.6A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 147W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 4.84mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1621 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 418

SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL

Инвентаризация: 800

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 1803

SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

Инвентаризация: 743

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 193

Top