Инвентаризация:1961

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 98W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 1.86mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 640 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 1087

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3

Инвентаризация: 6822

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 3172

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Инвентаризация: 7588

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Инвентаризация: 0

Top