Инвентаризация:2587

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 113.6W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1350 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 73A TO247-4

Инвентаризация: 2190

1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L

Инвентаризация: 691

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3

Инвентаризация: 992

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4

Инвентаризация: 104

Top