- Модель продукта G3R75MT12K
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 41A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 207W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.69V @ 7.5mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-4
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 54 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1560 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Инвентаризация: 618578
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 404
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Инвентаризация: 1085
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Инвентаризация: 261
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Инвентаризация: 339
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Инвентаризация: 104
