- Модель продукта IMZ120R220M1HXKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 220mOhm @ 4A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 75W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 1.6mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +23V, -7V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.5 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 289 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Инвентаризация: 3172
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Инвентаризация: 706
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Инвентаризация: 521
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Инвентаризация: 1266
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Инвентаризация: 141
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Инвентаризация: 5923
