Инвентаризация:4672

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.6A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 455mOhm @ 3.6A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 345 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Инвентаризация: 669

SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3

Инвентаризация: 1564

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 2135

SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3

Инвентаризация: 8347

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

Инвентаризация: 1363

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3

Инвентаризация: 232

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 576

Top