- Модель продукта G3R350MT12D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 74W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.69V @ 2mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) ±15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 334 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
DIODE ZENER 220V 1.25W DO214AC
Инвентаризация: 5082
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 28263
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Инвентаризация: 8703
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Инвентаризация: 1732
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Инвентаризация: 1528
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Инвентаризация: 597
SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Инвентаризация: 75424
