Инвентаризация:2097

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 100µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Инвентаризация: 712

SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3

Инвентаризация: 3704

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

Инвентаризация: 1528

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

Инвентаризация: 1363

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 130

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

Инвентаризация: 597

MOSFET N-CH 1500V 7A TO247

Инвентаризация: 558

MOSFET N-CH 1700V 5A TO247

Инвентаризация: 0

Top