- Модель продукта G3R160MT12D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 192mOhm @ 10A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 123W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.69V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) ±15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 730 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Инвентаризация: 1044
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Инвентаризация: 1294
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
MOSFET 1200V 25A TO-247
Инвентаризация: 1
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Инвентаризация: 335
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Инвентаризация: 597
1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Инвентаризация: 530
