- Модель продукта G3R160MT17D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 208mOhm @ 12A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 175W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 5mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) ±15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1272 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Инвентаризация: 8703
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Инвентаризация: 3466
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Инвентаризация: 1528
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Инвентаризация: 306
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Инвентаризация: 412
