Инвентаризация:1806

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.32Ohm @ 1.5A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 69W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247AB
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15.5 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 124 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Инвентаризация: 669

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 32

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

Инвентаризация: 1528

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET N-CH 1700V 2A TO247

Инвентаризация: 222

MOSFET 1200V 25A TO-247

Инвентаризация: 1

TRANS SJT 1700V TO247-4

Инвентаризация: 210

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

Инвентаризация: 338

Top