Инвентаризация:1710

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 940mOhm @ 2.5A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 68W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.25V @ 100µA (Typ)
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 184 pF @ 1360 V

Сопутствующие товары


ABU / MOSFET

Инвентаризация: 156

SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Инвентаризация: 669

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Инвентаризация: 12524

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 75424

Top