Технические детали

• Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 54W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 2mA
• Пакет устройств поставщика TO-263-7
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
• ВГС (Макс) +20V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 139 pF @ 1000 V