Инвентаризация:3398

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.4A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 650mOhm @ 1.5A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 88W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 1.7mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-13
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V, 15V
  • ВГС (Макс) +20V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 nC @ 12 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 422 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Инвентаризация: 12524

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Инвентаризация: 0

Top