- Модель продукта IMBF170R1K0M1XTMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.2A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1000mOhm @ 1A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 68W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 1.1mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-13
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V, 15V
- ВГС (Макс) +20V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5 nC @ 12 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 275 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Инвентаризация: 669
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Инвентаризация: 453
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Инвентаризация: 4800
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Инвентаризация: 12524
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Инвентаризация: 1525
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Инвентаризация: 1898
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Инвентаризация: 653
