Инвентаризация:1953

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-7 (Straight Leads)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.3A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 78W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 500µA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK (7-Lead)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 200 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 40A 16SOIC

Инвентаризация: 3693

SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Инвентаризация: 669

SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7

Инвентаризация: 4800

DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323

Инвентаризация: 2890

TRANS SJT 1700V D3PAK

Инвентаризация: 513

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 653

Top