- Модель продукта NTBG1000N170M1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2153
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.3A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 51W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 640µA
- Пакет устройств поставщика D2PAK-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
- ВГС (Макс) +25V, -15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 1000 V