Инвентаризация:2153

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.3A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 51W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 640µA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

Инвентаризация: 8703

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Инвентаризация: 12524

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 727

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 119

SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L

Инвентаризация: 779

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Инвентаризация: 1527

Top