Технические детали

• Пакет/кейс TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 44W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 410µA
• Пакет устройств поставщика TO-268
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
• ВГС (Макс) +22V, -6V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 18 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 184 pF @ 800 V