Инвентаризация:1895

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 153A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 84.29A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 517W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 23.18mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 293 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7407 pF @ 1000 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

TO247-4

Инвентаризация: 0

Top