Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 129A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 60A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 673W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 167 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3512 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO

Инвентаризация: 395

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 941

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

TO247-4

Инвентаризация: 0

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

Top