Инвентаризация:1742

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 125A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 80.28A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 483W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 22.08mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 223 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6922 pF @ 1000 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L

Инвентаризация: 4

1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

TO247-4

Инвентаризация: 0

DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top