Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 91A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 547W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.9V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 150 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3540 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 378

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

Инвентаризация: 1285

MOSFET N-CH 950V 8A TO247

Инвентаризация: 466

Top