Инвентаризация:2863

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28.8mOhm @ 50A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 469W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 17.7mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 162 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4818 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3

Инвентаризация: 1564

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3

Инвентаризация: 1283

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 10

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SIC MOSFET 900V TO247-4L

Инвентаризация: 871

Top