Инвентаризация:2371

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 116A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 484W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 196 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4415 pF @ 450 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 249

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 282

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE

Инвентаризация: 558

Top